一种tvs二极管的封装结构及制作方法

　　专利名称：一种tvs二极管的封装结构及制作方法

　　技术领域：

　　本发明涉半导体器件的制造技术领域，具体涉及ー种TVS ニ极管的封装结构及制作方法。

　　背景技术：

　　瞬态电压抑制ニ极管(Transient Voltage Suppressor)简称TVS ニ极管，是一种ニ极管形式的高效能保护器件。当TVS ニ极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以极高的速度(最高达10的负12次方秒量级)使其阻抗骤然降低，同时吸收一个大电流，将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上，从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击 而损坏。目前，块状TVSニ极管生产エ艺中，TVS ニ极管的电极采用一体的导电片将电信号引出，其生产流程为焊接，压模，T/F (修剪/弯折)成型，烘烤，测试，QC检验，入库。具体步骤是在引线框架上点涂锡膏，将TVS ニ极管晶粒装填，然后在TVS ニ极管上面点涂锡膏，将导电片固定电连接在TVS ニ极管上，再将模盘组合好放入焊接炉进行焊接；然后送压模站压模；压模之后进入T/F过程，即对串联在一起的压模半成品进行引脚修剪和弯折，成为单个的成型块状TVS ニ极管；再用高温进行烘烤，然后进行电性测试和检验，最后入库。由于T/F过程修剪和弯折会使块状TVS受到冲击而产生应力，以致带动引脚末端胶体内焊接片，容易致使TVS ニ极管晶粒受损，从而导致产品的可靠性降低和使用寿命不长。

　　发明内容

　　本发明为解决现有技术中TVS ニ极管生产エ艺中由于修剪和弯折会使块状TVS ニ极管受到冲击而产生应力，以致带动引脚末端胶体内焊接片，致使晶粒容易受损的问题，从而提供了ー种大幅减缓由于修剪和弯折带来冲击カ的TVS ニ极管的封装结构及制作方法。为解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案

　　ー种TVS ニ极管的封装结构，包括引线框架，包括引线框架本体和第一引脚；TVS ニ极管芯片，该TVS ニ极管芯片的两极位于TVS ニ极管芯片的正面和背面，所述TVS ニ极管芯片位于引线框架本体的承载面上，TVS ニ极管芯片的背面与引线框架本体的承载面电连接；导电片，所述导电片包括导电片本体和第二引脚，所述导电片本体设置于TVS ニ极管芯片正面与TVS ニ极管芯片正面电连接，第二引脚与所述第一引脚电连接；TVS ニ极管芯片、弓丨线框架本体和导电片均密封于树脂内。本发明还提供ー种TVS ニ极管的制作方法，包括以下步骤步骤ー提供引线框架，该引线框架包括引线框架本体和第一引脚；步骤ニ 将TVS ニ极管芯片放置引线框架本体上并固定电连接；步骤三提供导电片，所述导电片包括导电片本体和第二引脚；步骤四将导电片本体固定并电连接在TVSニ极管芯片上，将所述第二引脚与所述第一引脚电连接；步骤五将TVS ニ极管芯片、引线框架本体和导电片均密封于树脂内，并修剪/弯折第一引脚。

　　与现有技术相比，本发明具有如下有益效果本发明提供的ー种TVS ニ极管的封装结构及制作方法，TVS ニ极管芯片正面电极通过导电片本体和第二引脚与第一引脚电连接，这样采用两段式结构，使得在后续修剪/弯折第一引脚时，减小TVS ニ极管芯片收到的应力，提高了 TVS ニ极管的产品可靠性，并延长了 TVS ニ极管寿命。

　　图I是本发明实施例中引线框架结构 示意图。图2是本发明实施例中引线框架上放置TVS ニ极管芯片示意图。图3是本发明实施例中TVS ニ极管芯片上放置导电片示意图。图4是本发明实施例弓I线框架密封于树脂内示意图。图5是本发明实施例修剪/弯折后的TVS ニ极管示意图。

　　具体实施例方式为了使本发明所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一歩详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用干限定本发明。图3是本发明实施例中TVSニ极管芯片上放置导电片示意图，可以清楚的看到TVSニ极管的封装结构，包括引线框架10，包括引线框架本体12和第一引脚11 ;TVS ニ极管芯片，如图2中TVS ニ极管芯片20所示，该TVS ニ极管芯片20的两极位于TVS ニ极管芯片的正面和背面，所述TVS ニ极管芯片20位于引线框架本体12的承载面上，TVS ニ极管芯片20的背面与引线框架本体12的承载面电连接；导电片30，所述导电片30包括导电片本体32和第二引脚31，所述导电片本体32设置于TVS ニ极管芯片20正面与TVS ニ极管芯片20正面电连接，第二引脚31与所述第一引脚11电连接；导电片本体32与TVS ニ极管芯片20不连接的一面设置有复数个凹槽33，可以增加散热功能。TVS ニ极管20、引线框架本体12和导电片30均密封于树脂40内，如图4所示。TVS ニ极管芯片正面电极通过导电片本体和第ニ引脚与第一引脚电连接，这样采用两段式结构，使得在后续修剪/弯折第一引脚时，减小TVS ニ极管芯片收到的应力，提高了 TVS ニ极管的产品可靠性，并延长了 TVS ニ极管寿命。本实施例中，导电片本体32的厚度大于第二引脚31的厚度，导电片本体32的厚度为4至5毫米，第二引脚31的厚度为O. 7至I毫米。与TVS ニ极管20接触的导电片本体32的厚度较厚，可以很好的散热，第二引脚31相对较薄，可以使得最終封装的厚度符合要求。该导电片30 —般选择铜片，第二引脚31至少为ー个，优选为两个；可以使得在修剪/弯折时减小第一引脚和第二引脚之间的应力，使其更好的连接。TVS ニ极管芯片的背面与引线框架本体的承载面，TVS ニ极管正面与TVS ニ极管正面，所述第二引脚与第一引脚，均通过焊锡电连接。以下说明TVS ニ极管的制作方法，包括以下步骤

　　步骤ー提供引线框架10，如图I所示，本发明实施例中引线框架结构示意图，该引线框架10包括引线框架本体12和第一引脚11，该第一引脚11如果在剪切后不与引线框架本体12连接。步骤ニ将TVS ニ极管芯片放置引线框架本体上并固定电连接，图2是本发明实施例中引线框架上放置TVS ニ极管芯片示意图，该TVS ニ极管芯片20的两极位于TVS ニ极管芯片20的正面和背面，TVS ニ极管芯片20位于引线框架本体12的承载面上，TVS ニ极管芯片20的背面与引线框架本体12的承载面电连接；该方法可直接在引线框架本体12的承载面上点涂锡膏，然后将TVS ニ极管芯片20对准放置在引线框架本体12的承载面上。步骤三提供导电片，所述导电片包括导电片本体和第二引脚，该导电片30的导电片本体32第二引脚31相连。步骤四将导电片本体固定并电连接在TVS ニ极管芯片上，将所述第二引脚与所述第一引脚电连接；图3是本发明实施例中TVS ニ极管芯片上放置导电片示意图，将TVS ニ极管芯片20正面点涂锡膏，同时在第一引脚11和第二引脚31上点涂锡膏，然后将导电片本体32与将TVS ニ极管芯片20正面对准并放置在上面，并将涂了锡膏的第一引脚11和第ニ引脚31搭接在一起，然后将整体放入回流焊炉中进行回流焊，将点涂锡膏的部分焊接牢固。导电片本体32与TVS ニ极管芯片20不连接的一面设置有复数个凹槽33，可以增加散热功能。 步骤五将TVS ニ极管芯片、引线框架本体和导电片均密封于树脂内，并修剪/弯折第一引脚。图4是本发明实施例引线框架密封于树脂内示意图，将焊接牢固的TVSニ极管芯片20、导电片30和引线框架10送模封机进行封装，一般用树脂封装，装好之后在高温箱内进行烘烤，之后在切金打弯机上进行修剪/弯折，电镀，电性测试，检验，得到单个的TVSニ极管，图5是本发明实施例修剪/弯折后的TVS ニ极管示意图，外壳40为封装好的树脂。这样采用两段式结构的封装方法，使得在后续修剪/弯折第一引脚时，减小TVS ニ极管芯片收到的应力，提高了 TVS ニ极管的产品可靠性，并延长了 TVS ニ极管寿命。以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

　　权利要求

　　1.ー种TVS ニ极管的封装结构，其特征在于，包括 引线框架，包括引线框架本体和第一引脚； TVS ニ极管芯片，该TVS ニ极管芯片的两极位于TVS ニ极管芯片的正面和背面，所述TVS ニ极管芯片位于引线框架本体的承载面上，TVS ニ极管芯片的背面与引线框架本体的承载面电连接； 导电片，所述导电片包括导电片本体和第二引脚，所述导电片本体设置于TVS ニ极管芯片正面与TVS ニ极管芯片正面电连接，第二引脚与所述第一引脚电连接； TVS ニ极管、引线框架本体和导电片均密封于树脂内。

　　2.根据权利要求I所述的TVSニ极管的封装结构，其特征在干，所述导电片本体的厚度大于第二引脚的厚度。

　　3.根据权利要求2所述的TVSニ极管的封装结构，其特征在于，所述导电片本体的厚度为4至5毫米。

　　4.根据权利要求2所述的TVSニ极管的封装结构，其特征在于，所述第二引脚的厚度为O.7至I毫米。

　　5.根据权利要求I至4任一项所述的TVSニ极管的封装结构，其特征在于，所述第二引脚至少ー个。

　　6.根据权利要求I至4任一项所述的TVSニ极管的封装结构，其特征在于，所述导电片为铜片。

　　7.根据权利要求I至4任一项所述的TVSニ极管的封装结构，其特征在干，TVS ニ极管芯片的背面与引线框架本体的承载面，TVS ニ极管正面与TVS ニ极管正面，所述第二引脚与第一引脚，均通过焊锡电连接。

　　8.—种TVS ニ极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤 步骤ー提供引线框架，该引线框架包括引线框架本体和第一引脚； 步骤ニ 将TVS ニ极管芯片放置引线框架本体上并固定电连接； 步骤三提供导电片，所述导电片包括导电片本体和第二引脚； 步骤四将导电片本体固定并电连接在TVS ニ极管芯片上，将所述第二引脚与所述第一引脚电连接； 步骤五^fTVS ニ极管芯片、引线框架本体和导电片均密封于树脂内，并修剪/弯折第一引脚。

　　9.根据权利要求8所述的TVSニ极管的制作方法，其特征在于，所述导电片本体的厚度大于第二引脚的厚度。

　　10.根据权利要求8所述的TVSニ极管的制作方法，其特征在于，所述导电片本体的厚度为4至5毫米。

　　11.根据权利要求8所述的TVSニ极管的制作方法，其特征在于所述第二引脚的厚度为O.7至I毫米。

　　全文摘要

　　本发明公开了一种TVS二极管的封装结构，包括引线框架，包括引线框架本体和第一引脚；TVS二极管芯片，该TVS二极管芯片的两极位于TVS二极管芯片的正面和背面，所述TVS二极管芯片位于引线框架本体的承载面上，TVS二极管芯片的背面与引线框架本体的承载面电连接；导电片，所述导电片包括导电片本体和第二引脚，所述导电片本体设置于TVS二极管芯片正面与TVS二极管芯片正面电连接，第二引脚与所述第一引脚电连接；TVS二极管芯片、引线框架本体和导电片均密封于树脂内。以及TVS二极管的制作方法。由于采用两段式结构，使得在后续修剪/弯折第一引脚时，减小TVS二极管芯片收到的应力，提高了TVS二极管的产品可靠性，并延长了TVS二极管寿命。

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